射頻離子源 RFICP 40
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射頻離子源 RFICP 40

KRI 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內. 離子源 RFICP 40 設計采用創新的柵極技術用于研發和開發應用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設計, 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業應用. 標準配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束
4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行
5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:

型號

RFICP 40

Discharge 陽極

RF 射頻

離子束流

>100 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

4 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

3-10 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

12.7 cm

直徑

13.5 cm

中和器

LFN 2000

KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜 (光學鍍膜 ) IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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